A09T贴片三极管,A09T芯片怎么测试

A09T是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。

A09T具有比PWA更高的ID电流值，和更高的VDS耐压

A09T基本参数：VDS=30V，ID=5.8A，RDS(ON)28mΩ

VGS=10V

A09T采用SOT23-3L环保材质的封装形式。

A09TA09TA09T

通过利用MOS管的开关特性，利用基础设备。测试MOS三大参数。来判断mos关的性能。

VTH测试方法：

V2电压从0慢慢往上调，直到万用表响，此时V2显示的电压为该mos的VTH。

RDSON测试方法：

V1电源设为10V，V2电源设为5V以内，限流设为mA，

V4通电，V1通电，使MOS管导通，用万用表测MOS管DS之间压降△VDS。（万用表调至mV档）

根据公式计算：RDSON(VGS=4.5V)=△VDS÷mA

测RDSON(VGS=4.5V),把V1设4.5V即可。

VDS测试方法：

把V3电源电流限流在uA，把V3电压从0慢慢往上调，直到电源显示有负载电流，此时V3显示的电压为该mos的VDS最大值。