锗三极管的性能介绍以及如何测量

以前，由于制作工艺的限制，坚硬的硅半导体被遗忘了。

于是锗这种半导体被大量利用制作成三极管、二极管等。

基于很多是手工操作，有的用玻璃封装，里面填缝散热粉或散热胶，制成的半导体参数参差不齐，差别很大。

最难以控制的就是漏电，有的锗三极管c-e极只有几百欧姆，漏电电流大，反馈信号与经过三极管放大信号之差，被放大，产生噪音甚至啸叫声。

优点也是有点，如导通电压低，一般0.2v左右即可，这样不会把微弱信号给丢了，对于直流放大电路来说，优点更明显。

锗三极管正由于漏电的特性，故不像硅三极管对信号处理干脆，造成输出过硬，而锗三极管就比较温和一些，像电子管的一些特性。

如工业上一种励磁调速控制器里面，就有锗三极管。

测量时建议用指针式万用表，bc极正向为1到2kΩ左右，为正常，反向为几十kΩ到几百KΩ。be极正向为1到2KΩ左右，反向测量要小点，一般为几十KΩ到4、5KΩ左右，即为正常，理论上越大越好。

ce极理论上正反测量，越大越好，但实际上，正向测量，即把负表笔搭在C极上，正表笔搭在E极上，阻值较小，一般为数KΩ，有的只有几百Ω。