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2gd-v0mos管irfn2gd-v0，mos管irfs1a3b4c，mos管irfs1a3b4c，mos管irfdn2gda6e2，mos管irfdn2ga8ec3，powerfieldamplatedcapacitor（简称：igbt）是一种电压控制型功率半导体器件。

它的主要作用是将直流电能转换为交流电能。

它具有体积小、效率高、重量轻的特点。

在电力电子装置中广泛使用这种器件来代替传统的电感元件和电阻元件。

随着电力电子技术的发展，igbt的应用越来越广泛。

其采用单芯片封装技术将两个相同的门极驱动电流源整合在一起，并集成了电源管理和散热功能模块，从而简化了设计流程并降低了成本。

该器件的典型应用包括汽车发动机控制系统以及变频器等工业领域中的开关电源电路等。

2.1双极晶体管的基本工作原理双极性晶体管是由一个pn结加上两个电极组成的一个pnp复合体，其中每个电极相当于一个二极管的栅极，而另外的两个电极则分别代表输入与输出端。

所示的双极性晶体管的结构框图中可以看到，当正向偏置时，二极管处于导通工作状态；反之当反向偏压时则为截止状态。

双极性晶体管的结构框图在实际的电路中由于负载的不同或环境温度的变化等原因可能会使晶体的特性发生一些改变，因此需要对晶体管的正反向特性进行调节以使其能够满足不同的要求。

例如对于一般的整流二极管来说其正向电压越高、反向电流就越小；而对于双向可控硅来说正向电压越低、反向漏电流也就越小；对于肖特基二极管而言正负两端的电压越大、其正向漏电流也越小；而对于场效应三极管来讲正向击穿电压越高其饱和压降也就越大等.这些现象都是由于不同种类的半导体材料所决定的.因此根据不同的应用场合选择合适的双极性晶体管是十分必要的.下面介绍一种常用的双极性晶体管的参数设置方法及注意事项.

1.1参数的设置方法设置参数的方法有两种第一种是利用数字万用表直接读取各引脚上的数值第二种

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