模拟电路三极管的分类与典型应用汇总
三极管电流放大的原理是：如果少量电流流过BJT晶体管的基极，则会导致从发射极到集电极的大电流流动，即有基极输入电流三极管才会导通。
虽然大学的主要学习晶体管的各种复杂的放大功能，但是在嵌入式设计中，大多是数字电路，导致晶体管主要用于开关目的（MOSFET，BJT），只有很少在模拟电子行业中把晶体管用于放大目的（BJT），如音响产品，射频产品，小信号检测产品。
BJT可以在三个区域运行。他们是：截止区：此处晶体管处于“OFF”状态，即流过晶体管的电流为零。此时输入端没有电压或零电压时，晶体管工作在截止区并作为开路，例如驱动LED时，NPN三极管基极为低电压时，LED熄灭。有源区：晶体管在这里充当放大器。嵌入式设计中，基本不会用到。饱和区：这里的晶体管处于完全“导通”状态，也作为闭合开关工作。当在基极和发射极之间施加足够的电压(VIN0.7V)时，集电极到发射极的电压大约等于0。因此，晶体管充当短路。集电极电流VCC/RC流过晶体管。例如驱动LED时，NPN三极管基极为高电压时，LED亮。
NPN三极管的用途分类：小信号晶体管：小信号晶体管的基本功能是放大小信号，但有时这些晶体管也用于开关目的。我们通常可以在小信号三极管的管体上看到一些数值，表示三极管的hFE。根据这个hFE值，我们可以了解晶体管放大信号的能力。常用的hFE值范围为10至。这些晶体管的集电极电流值为80至mA。这种晶体管的工作频率范围为1至00MHz。晶体管的名称本身就表明这些晶体管放大小信号，这些信号使用小电压和小电流，例如几毫伏和几毫安的电流。另外一些通用做法是用来当作ON或OFF开关，比如用作，LED驱动器、继电器驱动器、音频静音功能、定时器电路、马达控制电路，偏置电源电路等。
小型开关晶体管
小型开关晶体管是那些主要用于开关但有时也用于放大的晶体管。与小信号晶体管一样，这些晶体管的hFE值范围为10到。
当hFE值为时，晶体管不是很好的放大器，但它们可以作为更好的开关。集电极电流值范围为10至mA。这些晶体管主要用于开关应用。功率晶体管
用于大功率放大器和电源的晶体管称为功率晶体管。该晶体管的集电极端子连接到金属器件的基极，该结构充当散热器，为应用耗散多余的功率。这些类型的晶体管以NPN、PNP和达林顿晶体管的形式提供。此处，集电极电流值范围为1至A。工作频率范围为1至MHz。这些晶体管的功率值范围为10至00W。晶体管名称本身表明功率晶体管用于需要大功率、高电压和大电流的应用中。
高频晶体管
高频晶体管用于在高频下工作的小信号，这些用于高速开关应用。高频晶体管也称为射频晶体管。这些晶体管的最大频率值约为0MHz。集电极电流(IC)值范围为10至mA。这些类型的晶体管也有NPN和PNP两种形式。这些主要用于高频信号的应用，而且这些晶体管必须仅在高速下导通或关断。这些晶体管用于HF、VHF、UHF、CATV和MATV振荡器和放大器电路。
光电晶体管
光电晶体管是根据光工作的晶体管，即这些晶体管对光敏感。一个简单的光电晶体管不过是一个双极晶体管，它包含光敏区域而不是基极端子。光电晶体管只有2个端子而不是个端子（在BJT中）。当感光区较暗时，晶体管中没有电流流过，即晶体管处于关断状态。当感光区受到光照时，基极产生少量电流，并导致大电流从集电极流向发射极。光电晶体管有BJT和FET晶体管类型。这些被命名为photo-BJT和photo-FET。与光电BJT不同，光电FET通过使用光来产生栅极电压，从而控制漏极和源极端子之间的电流。光电FET比光电BJT对光更敏感。photo-BJT和photo-FET的符号如上所示。
单结晶体管(UJT)
单结晶体管(UJT)仅用作电控开关。由于它们的设计，这些晶体管不包含任何放大特性。这些通常是三个引线晶体管，其中两个称为基极，第三个称为发射极。如果发射极和任何一个基极端子（B1或B2）之间没有电位差，则B1和B2之间有少量电流流动。如果在发射极端子上施加足够的电压，那么在发射极端子处会产生一个大电流，它会增加B1和B2之间的小电流，从而导致晶体管中流过大电流。这里，发射极电流是控制晶体管总电流的主要电流源。B1和B2端子之间的电流很小，因此这些晶体管不适合放大用途。
国产晶体管行业目前起步较晚，发展快速，竞争激烈，但是市场占有率较少。国产厂家有长电科技，士兰微，杨杰科技，乐山无线电，常州银河世纪等。随着国产替代的兴起，对进口的依赖会进一步减弱，国产替代率将显著增长，这离不开一线工程师的支持。
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