电磁炉工作原理及其维修方法

点击题目下蓝字电工之家 　　由LM（四电压较量器）输出脉冲记号。

　　1：触发部份由正负两组电源，管子用PNPNPN构成，宛如这类电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，构成高压开关部份，在代换中，前一个用带阻尼的行管代替便可。后几个则很难找到性格一致的管子，治理的举措是在散热器装置孔许可的环境下改用大电流的管子以裁减量量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU/BU/BU/D一类，用两个就能够。

　　2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；

　　这些机械特点是不必双电源触发，惟独+5V和+12V,LM经过触发集成块TA动员IGBT

　　这类环境下只可用此一类的管子取代，毁坏水平大概为，惟独管子坏，换上便可。其次是整流桥同时毁坏，（通常是烧半壁），在其次是触发集成块TA坏，连带LMN一同毁坏的很罕有。

　　关于高压模块，由于这方面的参数手册很少，渴望众人征集转贴，以便代换时参考。

　　不能冒然替换,最佳有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间改变).接上线盘前要断定其余几路小电源供电平常.

　　2.1.2IGBT

　　绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压鼓励场控型器件益处于一体的高压、高速大功率器件。

　　现在有效不同材料及工艺制做的IGBT,但它们都可被看做是一个MOSFET输入随从一个双极型晶体管夸大的复合组织。

　　IGBT有三个电极(见上图),别离称为栅极G(也叫遏制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。

　　从IGBT的下述特点中可看出,它克复了功率MOSFET的一个致命弊病,即是于高压大电流劳动时,导通电阻大,器件发烧严峻,输出效率降落。

　　IGBT的特点:

　　1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。

　　2.输入阻抗高,栅启动功率微小,启动电路简洁。

　　3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。

　　4.击穿电压高,平安劳动区大,在瞬态功率较高时不会受毁坏。

　　5.开关速率快,关断光阴短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、V级的约0.2us,约为GTR的10%,热诚于功率MOSFET,开关频次直达KHz,开关斲丧仅为GTR的30%。

　　IGBT将场控型器件的益处与GTR的大电流低导通电阻性格集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。

　　现在系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数以下:

　　(1)SGW25N----西门子公司出品,耐压1V,电流容量25℃时46A,℃时25A,内部不带阻尼二极管,于是运历时须配套6A/1V以上的快捷复原二极管(D11)利用,该IGBT配套6A/1V以上的快捷复原二极管(D11)后可代用SKW25N。

　　(2)SKW25N----西门子公司出品,耐压1V,电流容量25℃时46A,℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N,代历时将原配套SGW25N的D11快捷复原二极管捣毁不装。

　　(3)GT40Q----东芝公司出品,耐压1V,电流容量25℃时42A,℃时23A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N、SKW25N,代用SGW25N时请将原配套该IGBT的D11快捷复原二极管捣毁不装。

　　(4)GT40T----东芝公司出品,耐压1V,电流容量25℃时80A,℃时40A,内部不带阻尼二极管,于是运历时须配套15A/1V以上的快捷复原二极管(D11)利用,该IGBT配套6A/1V以上的快捷复原二极管(D11)后可代用SGW25N、SKW25N、GT40Q,配套15A/1V以上的快捷复原二极管(D11)后可代用GT40T。

　　(5)GT40T----东芝公司出品,耐压1V,电流容量25℃时80A,℃时40A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N、SKW25N、GT40Q、GT40T,代用SGW25N和GT40T时请将原配套该IGBT的D11快捷复原二极管捣毁不装。

　　(6)GT60M----东芝公司出品,耐压V,电流容量25℃时A,℃时60A,内部带阻尼二极管。

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